Se prevé que los chip de 2 nm de IBM logren 45 por ciento más de rendimiento o 75 por ciento menos de uso de energía que los chips de nodo de 7 nm

La compañía International Business Machines (IBM) lanzó uno de los mayores avances tecnológicos en materia de semiconductores al presentar el primer chip del mundo con tecnología nanosheet de 2 nanómetros (nm).

La innovación reflejada en este nuevo chip de 2 nm es el producto del enfoque de IBM de asumir desafíos tecnológicos complejos y una demostración de cómo los avances pueden resultar de inversiones sostenidas y un ecosistema de Investigación y Desarrollo colaborativo”, apuntó Darío Gil, vicepresidente senior y director de IBM Research.

Se prevé que la nueva tecnología de chip de 2 nm de IBM logre 45 por ciento más de rendimiento o un 75 por ciento menos de uso de energía que los chips de nodo de 7 nm más avanzados de la actualidad.

El diseño de 2 nm demuestra el nivel avanzado de escala de semiconductores utilizando la tecnología de nanohojas (nanosheet technology) de IBM.

Su arquitectura es una primicia en la industria. Desarrollado menos de cuatro años después de que IBM anunció su hito en el diseño de 5 nm, este último avance permitirá que el chip de 2 nm contenga hasta 50 mil millones de transistores en un chip del tamaño de una uña.

Entre los beneficios potenciales de los chips de 2 nm destaca el cuadruplicar la duración de la batería del teléfono celular; es decir, los usuarios tendrían que cargar los dispositivos cada cuatro días.

También se reduciría drásticamente la huella de carbono de los centros de datos, que representan el uno por ciento del uso global de energía.

Otros beneficios serían acelerar las funciones de una computadora portátil como un procesamiento más rápido de las aplicación, acelerar la traducción de idiomas y tener un acceso más veloz a internet; así como contribuir a una detección de objetos y tiempo de reacción más rápidos en vehículos autónomos.

Los esfuerzos de desarrollo de semiconductores de IBM están basados en su laboratorio de investigación ubicado en Albany, Nueva York.

El legado de IBM de avances en semiconductores también incluye la primera implementación de tecnologías de proceso de 7 nm y 5 nm, DRAM de celda única, las Leyes de Escala de Dennard, fotorresistencias amplificadas químicamente, cableado de interconexión de cobre, tecnología de silicio sobre aislante, microprocesadores de múltiples núcleos, dieléctricos de puerta High-k, DRAM integrado y apilado de chips 3D.

La primera oferta comercial de IBM que incluye los avances de IBM Research de 7 nm, debutará a finales de este año en IBM POWER10, basado en IBM Power Systems.

Fuente: Agencias