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Científicos chinos crean la memoria flash más rápida del mundo
Científicos chinos desarrollaron un dispositivo de memoria flash con la velocidad de escritura más rápida del mundo, alcanzando un bit en 400 picosegundos, informó este…
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El origen del polvo estelar, que constituye la mayor parte de la materia en nuestro sistema solar, incluyéndonos a nosotros,es más complicado de lo que…
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