Este nuevo transistor quiere revolucionar la tecnología para siempre para crear dispositivos irrompibles
Un chip M4 de Apple tiene 28.000 millones de transistores. El chip más potente de NVIDIA tiene 200.000 millones. Así, los transistores son la clave para el correcto funcionamiento de los productos electrónicos, y cuantos más haya en menor espacio más potencia y eficiencia se puede alcanzar. El problema es que la tecnología existente hoy en día puede darnos algunos problema, al menos hasta ahora, ya que han descubierto una nueva forma de producir transistores realmente eficiente.
Una revolución en los chips
Un nuevo dispositivo transistor desarrollado recientemente y cuya investigación ha sido publicada recientemente ha demostrado niveles excepcionales de resistencia en pruebas, lo que podría cambiar de manera rotunda el funcionamiento de los dispositivos electrónicos que usamos a diario.Pese a que no los conozcas, los transistores son clave en la tecnología moderna y consiste en diminutos interruptores que permiten el paso de la energía. De hecho, están presentes en todo tipo de tecnologías de hoy en día, incluyendo tu móvil u ordenador. Y es que, cuanto más pequeños son los transistores y más resistentes, más se puede innovar en la tecnología que se aplica. Ahora, el nuevo diseño de transistor combina velocidad, tamaño y una resistencia al desgaste que podría cambiar las cosas hasta ahora.
Desde los centros de datos gigantescos que almacenan hasta tu ordenador portátil o tu móvil, gracias a estos transistores la tecnología puede ganar una gran eficiencia, aunque de momento es necesario llevarla a una escala práctica para que los sistemas y máquinas que utilizamos se vuelvan mucho más rápidos. El transistor en cuestión está hecho de un material ferroeléctrico ultradelgado basado en nitruro de boro, un compuesto bastante novedoso y que llama la atención por sus funciones.
El dispositivo utiliza dos capas de este material que, al aplicar una corriente eléctrica, se desplazan ligeramente, lo que provoca un cambio en la configuración de los átomos de boro y nitrógeno. Esta propiedad permite que los transistores sean increíblemente rápidos y delgados, lo que podría reducir el tamaño de los dispositivos electrónicos y mejorar su eficiencia.Una de las características más destacadas de este diseño es que el ligero desplazamiento de las capas también cambia las propiedades del material de una manera que minimiza el desgaste. Durante las pruebas, se ha demostrado que este transistor puede alternar entre “encendido” y “apagado” al menos 100 mil millones de veces sin mostrar signos de deterioro. Esto lo convierte en una opción mucho más duradera en comparación con las actuales tecnologías de almacenamiento de memoria flash, que tienden a desgastarse con el tiempo.
Aunque los investigadores detrás de esta innovación reconocen que todavía queda un largo camino por recorrer antes de que estos transistores puedan ser utilizados en dispositivos comerciales, se muestran optimistas respecto a la gran cantidad de usos que podrían tener, por lo que a buen seguro merecerá la pena.
Fuente: msn.com